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[行業(yè)資訊]看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)[ 2024-05-20 10:31 ]: 碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng)，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢(shì)使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對(duì)器件的使用性能有著極為重要的影響。因; http://jeffvon.com/Article/kdsicthgcd_1.html

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