- [行業(yè)資訊]看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術[ 2024-05-20 10:31 ]
- 碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應，給現(xiàn)有的加工技術帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質量的碳化硅襯底加工技術成了當下的研究熱點。 碳化硅相較于第一、二代半導體材料具有更優(yōu)良的熱學、電學性能，如寬禁帶、高導熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料廣泛應用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因
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