吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

Fujibo拋光墊國(guó)產(chǎn)替代挑戰(zhàn)與吉致電子解決方案

Fujibo（日本富士紡）是知名的拋光墊制造商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、液晶顯示器（LCD）、硬盤（HDD）藍(lán)寶石襯底等精密加工領(lǐng)域。Fujibo拋光墊因其高精度拋光、均勻性、耐磨性好等特點(diǎn)，長(zhǎng)期以來占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，但隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)的突破和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，國(guó)產(chǎn)拋光墊正逐步實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的替代。吉致電子作為國(guó)內(nèi)經(jīng)驗(yàn)豐富的電子行業(yè)CMP拋光材料供應(yīng)商，致力于為客戶提供高性價(jià)比的國(guó)產(chǎn)拋光墊解決方案，助力企業(yè)降本增效，保障供應(yīng)鏈安全。國(guó)產(chǎn)拋光墊替代Fujibo的五大優(yōu)勢(shì)1. 顯著降低成本，提升競(jìng)爭(zhēng)力國(guó)產(chǎn)拋光墊價(jià)格比Fujib

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化學(xué)機(jī)械CMPAl2O3氧化鋁精拋液

吉致電子氧化鋁精拋液（CMP Slurry）采用高純度分級(jí)氧化鋁微粉為原料，經(jīng)特殊表面改性工藝處理，通過科學(xué)配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：適用于化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝CMP場(chǎng)景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質(zhì);以及藍(lán)寶石、碳化硅襯底、光學(xué)玻璃、精密陶瓷基板等半導(dǎo)體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢(shì)突出：獨(dú)特的抗結(jié)晶配方，確保拋光過程穩(wěn)定對(duì)拋光設(shè)備無(wú)腐蝕，維護(hù)簡(jiǎn)便殘留物易清洗，提高生產(chǎn)效率氧化鋁精拋液效果卓越：創(chuàng)新的化學(xué)機(jī)械協(xié)同作用機(jī)制，顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝，確保拋光面質(zhì)量達(dá)到

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化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）如何優(yōu)化陶瓷覆銅板平坦化？

陶瓷覆銅板（Ceramic Copper-Clad Laminate，簡(jiǎn)稱陶瓷基覆銅板或DBC/DPC）是一種高性能電子基板材料，廣泛應(yīng)用于高功率、高溫、高頻等苛刻環(huán)境下的電子器件中。它由陶瓷基板和覆銅層通過特殊工藝結(jié)合而成，兼具陶瓷的優(yōu)異性能和金屬銅的導(dǎo)電特性。陶瓷覆銅板CMP研磨液是一種專用于化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝的特殊液體，用于對(duì)陶瓷覆銅板（如DBC、DPC等）表面進(jìn)行高精度平坦化處理。其核心作用是通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)，去除銅層和陶

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從襯底到外延片：半導(dǎo)體材料的層級(jí)關(guān)系與作用

半導(dǎo)體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導(dǎo)體制造中的兩種關(guān)鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結(jié)構(gòu)、用途和制備工藝上：1. 定義與作用襯底（Substrate）是半導(dǎo)體器件的“基礎(chǔ)載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍(lán)寶石等），提供機(jī)械支撐和晶體結(jié)構(gòu)模板。功能：確保后續(xù)外延生長(zhǎng)或器件加工的晶體結(jié)構(gòu)一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在襯底表面通過外延生長(zhǎng)技術(shù)（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。功能：優(yōu)化電學(xué)性能（如純度、摻雜濃度）

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吉致電子：半導(dǎo)體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析

在半導(dǎo)體陶瓷的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國(guó)產(chǎn)CMP耗材供應(yīng)商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應(yīng)用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點(diǎn)，半導(dǎo)體陶瓷CMP中的潛在應(yīng)用方案：吉致電子CMP拋光液在半導(dǎo)體陶瓷中的應(yīng)用半導(dǎo)體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷，通過表面氧化反應(yīng)（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案

阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級(jí)精度的關(guān)鍵保障：在半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質(zhì)量的關(guān)鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質(zhì)地細(xì)膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長(zhǎng)。阻尼布拋光墊可對(duì)碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤、光學(xué)玻璃、金屬制品、藍(lán)寶石襯底等材質(zhì)或工件進(jìn)行精密終道拋光，在去除納米級(jí)材料的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)表面平整度，是先進(jìn)制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨

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如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問題？吉致電子CMP拋光專家支招

在半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃等精密制造領(lǐng)域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應(yīng)用。然而，拋光液在存儲(chǔ)或使用過程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導(dǎo)致工件劃傷甚至報(bào)廢。如何有效避免和解決這一問題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)解決方案！一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動(dòng)或pH失衡，粒子會(huì)迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括：存儲(chǔ)不當(dāng)（溫度過高/過低、未密封）拋光液停滯（流動(dòng)不

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先進(jìn)制程下的CMP挑戰(zhàn)：無(wú)紡布拋光墊技術(shù)演進(jìn)與實(shí)踐

在化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）工藝中，無(wú)紡布拋光墊是一種關(guān)鍵組件，其作用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1. 表面平整化•機(jī)械研磨作用：復(fù)合無(wú)紡布拋光墊的纖維結(jié)構(gòu)具有一定的彈性與剛性，能夠承載研磨顆粒（如二氧化硅、氧化鋁等），在壓力下與晶圓表面接觸，通過相對(duì)運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)材料的均勻去除。•微觀形貌調(diào)控：墊子的多孔結(jié)構(gòu)和纖維分布有助于分散局部壓力，減少劃傷，促進(jìn)全局平坦化。2. 研磨漿料的輸送與分布•儲(chǔ)存與釋放漿料：無(wú)紡布的多孔特性可吸附并均勻釋放化學(xué)研磨漿料（包含腐蝕性化學(xué)試劑和磨料），確保漿料持續(xù)供給

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碳化硅拋光墊選型指南：4道工序如何匹配CMP解決方案？

在碳化硅襯底的研磨和拋光工藝中，拋光墊的選擇需根據(jù)工序特性（粗磨、精磨、粗拋、精拋）匹配不同性能的拋光墊。以下是關(guān)鍵要點(diǎn)及吉致電子產(chǎn)品的適配方案：碳化硅拋光墊選型要點(diǎn)一、碳化硅襯底粗磨階段需求：高材料去除率、強(qiáng)耐磨性。推薦：高硬度復(fù)合無(wú)紡布拋光墊JZ-1020，壓紋/開槽設(shè)計(jì)增強(qiáng)研磨液流動(dòng)性，避免碎屑堆積。二、碳化硅襯底精磨階段需求：平衡表面平整度與中等去除率。推薦：中硬度拋光墊，特殊纖維結(jié)構(gòu)提升表面一致性，減少亞表面損傷。碳化硅SiC襯底 研磨墊（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅襯底粗拋階段需求：過渡到低表面

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Template無(wú)蠟吸附墊在半導(dǎo)體CMP中的應(yīng)用

在硅片拋光（尤其是化學(xué)機(jī)械拋光CMP）工藝中，無(wú)蠟吸附墊（Wax-free Adhesive Pad）相比傳統(tǒng)蠟粘接方式具有顯著優(yōu)勢(shì)，主要體現(xiàn)在工藝性能、缺陷控制、生產(chǎn)效率和環(huán)保合規(guī)等方面。吉致電子半導(dǎo)體行業(yè)晶圓、襯底、硅片專用無(wú)蠟吸附墊Template憑借五大核心優(yōu)勢(shì)，為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)帶來革新體驗(yàn)。?①無(wú)蠟吸附墊:消除蠟污染，提升晶圓潔凈度傳統(tǒng)蠟粘接方式固定工件晶圓易造成蠟漬擴(kuò)散、雜質(zhì)吸附，干擾光刻、刻蝕等精密工序。吉致電子無(wú)蠟吸附墊 template 從源頭杜絕蠟質(zhì)污染，為晶圓打造純凈加工環(huán)境，有效降低芯片不良

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吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析

鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機(jī)械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對(duì)互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機(jī)理3. 關(guān)鍵性能指標(biāo)去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點(diǎn)）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

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鉬襯底的應(yīng)用領(lǐng)域及CMP拋光技術(shù)解析

鉬（Mo）襯底憑借其高熔點(diǎn)（2623℃）、高熱導(dǎo)率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性，在半導(dǎo)體、光學(xué)、新能源、航空航天等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對(duì)鉬襯底的主要應(yīng)用場(chǎng)景解析其化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）關(guān)鍵技術(shù)，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢(shì)高溫穩(wěn)定性：熔點(diǎn)高達(dá)2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導(dǎo)率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應(yīng)力。高機(jī)械強(qiáng)度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導(dǎo)電性：適

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先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展

化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù)，其通過化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度，對(duì)集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化角度進(jìn)行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學(xué)組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對(duì)材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢(shì)：25年技術(shù)積累可

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吉致電子LED藍(lán)寶石襯底研磨拋光CMP工藝方案

藍(lán)寶石（α-Al2O3）因其高硬度、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和良好的光學(xué)性能，成為L(zhǎng)ED芯片制造的主流襯底材料。然而，其高硬度（莫氏硬度9）也使得加工過程極具挑戰(zhàn)性。吉致電子憑借CMP的研磨拋光技術(shù)，確保藍(lán)寶石襯底表面達(dá)到納米級(jí)平整度，為高性能LED外延生長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。本文將詳細(xì)介紹藍(lán)寶石襯底的研磨拋光工藝及其技術(shù)優(yōu)勢(shì)。1. 藍(lán)寶石襯底的特性與加工挑戰(zhàn)材料特性：?jiǎn)尉ЫY(jié)構(gòu)，高透光率（80%以上），耐高溫、耐腐蝕。加工難點(diǎn)：硬度高，傳統(tǒng)機(jī)械加工效率低且易產(chǎn)生損傷。表面要求極高（Ra＜0.5nm），否則影響外延層質(zhì)量。晶向（如c面

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吉致電子TSV銅化學(xué)機(jī)械拋光液：助力3D先進(jìn)封裝技術(shù)突破

在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術(shù)）作為前沿的芯片互連技術(shù)，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構(gòu)建垂直導(dǎo)通的微孔，并填充銅、鎢等導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)，TSV 技術(shù)憑借縮短的互聯(lián)長(zhǎng)度，大幅降低信號(hào)延遲與功耗，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計(jì)算、5G 通信、人工智能等前沿領(lǐng)域不可或缺的核心支撐。TSV技術(shù)的

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藍(lán)寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應(yīng)用

在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍(lán)寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應(yīng)用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢(shì)α-氧化鋁的硬度與藍(lán)寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上，相近的硬度可能會(huì)增加劃傷藍(lán)寶石表面的風(fēng)險(xiǎn)，但在實(shí)際應(yīng)用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑

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【國(guó)產(chǎn)替代新選擇】吉致電子IC1000級(jí)拋光墊——打破壟斷，助力中國(guó)“芯”制造！

半導(dǎo)體CMP工藝中,拋光墊是關(guān)鍵耗材，但進(jìn)口品牌長(zhǎng)期占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)。吉致電子作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料供應(yīng)商，成功研發(fā)生產(chǎn)高性能國(guó)產(chǎn)替代IC1000級(jí)拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶好評(píng)及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應(yīng)！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國(guó)際大牌——采用高精度聚氨酯材質(zhì)與微孔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，拋光均勻性、去除率對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品，滿足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢(shì)顯著——國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)，減少供應(yīng)鏈依賴，價(jià)格更具競(jìng)爭(zhēng)力，降低企業(yè)綜合

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吉致電子：高穩(wěn)定聚氨酯拋光墊定制專家

吉致電子聚氨酯拋光墊選用優(yōu)質(zhì)基礎(chǔ)材質(zhì)，歷經(jīng)多道復(fù)雜且精密的工藝打造。聚氨酯拋光墊具備卓越的高彈性、高耐磨性、高平坦度以及高穩(wěn)定性等特性，專為金屬、光學(xué)玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體芯片等對(duì)表面精度要求極高的精密部件拋光作業(yè)量身定制，能夠充分應(yīng)對(duì)并滿足嚴(yán)苛的工業(yè)級(jí)拋光需求。吉致電子聚氨酯拋光墊的核心優(yōu)勢(shì)①聚氨酯高效拋光性能氧化鈰拋光墊：其工作原理基于氧化鈰微粒與被加工材料表面的化學(xué)機(jī)械作用，可顯著提升材料去除速率，在對(duì)材料去除率有較高要求的場(chǎng)景中，能極大地縮短拋光時(shí)間，提升整體生產(chǎn)效率。氧化鋯拋光墊：氧化鋯材料憑借其獨(dú)特的微觀結(jié)

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芯片拋光液（CMP Slurry）：半導(dǎo)體平坦化的核心驅(qū)動(dòng)力

在半導(dǎo)體制造的精密世界里，納米級(jí)別的表面平整度宛如一把精準(zhǔn)的標(biāo)尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學(xué)與機(jī)械的協(xié)同之力，達(dá)成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無(wú)疑是這一工藝得以順暢運(yùn)行的 “血液”，發(fā)揮著無(wú)可替代的關(guān)鍵作用。吉致電子，作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術(shù)奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢(shì)。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負(fù)著至關(guān)重要的雙重功能：化學(xué)腐蝕其所含的活性

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氧化鋁懸浮液在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中的應(yīng)用與優(yōu)化

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體制造、光學(xué)玻璃加工和集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機(jī)械磨削性能和化學(xué)可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導(dǎo)體精密電子材料供應(yīng)商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細(xì)介紹氧化鋁CMP懸浮液的關(guān)鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應(yīng)用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關(guān)鍵指標(biāo)，以確保高拋光效率、低表面損傷和長(zhǎng)期穩(wěn)定性：性能指標(biāo)要求顆粒粒徑

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