吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

CMP化學(xué)機(jī)械工藝中金剛石研磨液的關(guān)鍵特性剖析

在現(xiàn)代先進(jìn)制造領(lǐng)域，CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝作為實(shí)現(xiàn)材料表面高精度加工的核心技術(shù)，發(fā)揮著舉足輕重的作用。該工藝融合了化學(xué)作用與機(jī)械磨削，能夠在原子尺度上對(duì)材料表面進(jìn)行精確修整，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)元件、精密模具等眾多高端產(chǎn)業(yè)。而在 CMP 工藝的復(fù)雜體系中，金剛石拋光液堪稱其中的關(guān)鍵要素，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎最終的拋光質(zhì)量與加工效率。用于 CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝的金剛石拋光液，其粒徑大小通常在 10 - 150nm 之間。該拋光液具有以下特點(diǎn)：高硬度與強(qiáng)切削力，金剛石是自然界硬度最高的物質(zhì)，具有出色的切削能力。在 C

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CMP拋光液：從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強(qiáng)、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

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精密制造新標(biāo)桿：吉致電子藍(lán)寶石研磨液技術(shù)解析

藍(lán)寶石研磨液Sapphire Slurry，也稱為藍(lán)寶石拋光液，是專為藍(lán)寶石材料精密加工而設(shè)計(jì)的高性能拋光液。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、光學(xué)窗口、藍(lán)寶石晶圓（Wafer）的減薄和拋光工藝，能夠滿足高平坦度、高表面質(zhì)量的加工需求。吉致電子藍(lán)寶石拋光液由高純度磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)精心配制而成，具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：1.高穩(wěn)定性：懸浮體系穩(wěn)定，不易沉降或結(jié)晶，確保拋光過(guò)程的一致性；2.高效拋光：拋光速度快，顯著提升加工效率；3.精密加工：采用納米SiO2粒子作為磨料，可在高效研磨的同時(shí)避免對(duì)工件表面造成物理?yè)p傷

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吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析

氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學(xué)元件等領(lǐng)域設(shè)計(jì)的高性能化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)，精準(zhǔn)去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實(shí)現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢(shì)如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準(zhǔn)表面處理通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不

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吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨

磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測(cè)器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴(yán)苛，尤其是表面粗糙度需達(dá)到納米級(jí)（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機(jī)械研磨易導(dǎo)致晶格損傷，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)則成為實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點(diǎn)。一、Inp磷化銦拋光準(zhǔn)備工作材料：準(zhǔn)備好磷化銦工件，確保其表面無(wú)明顯損傷、雜質(zhì)。同時(shí)準(zhǔn)備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其

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吉致電子：氧化鈰拋光液在CMP應(yīng)用中的3個(gè)特性

在精密制造領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的重要性不言而喻，而高品質(zhì)拋光液是其關(guān)鍵。納米氧化鈰（CeO2）因其特性，氧化鈰拋光液在半導(dǎo)體領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、晶圓硅片藍(lán)寶石襯底材料中的多元應(yīng)用，賦能多領(lǐng)域發(fā)展助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)。吉致電子作為CMP工藝耗材廠家，研發(fā)生產(chǎn)的氧化鈰拋光液選用氧化鈰微粉與高純納米氧化鈰作磨料，粒徑可按客戶需求定制。氧化鈰純度高，切削力強(qiáng)，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均勻，長(zhǎng)期儲(chǔ)存不易沉淀，確保拋光性能穩(wěn)定，為精密作業(yè)筑牢根基。氧化鈰拋光液在CMP工藝中的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：①高硬度與

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吉致電子科普時(shí)間：半導(dǎo)體制造中晶圓和襯底的不同應(yīng)用場(chǎng)景

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓因自身特性不同，有著截然不同的應(yīng)用場(chǎng)景。襯底作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)支撐材料，主要應(yīng)用于早期工藝環(huán)節(jié)。在集成電路制造中，它是后續(xù)外延生長(zhǎng)、薄膜沉積等工藝的起始平臺(tái)。比如在生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體時(shí)，硅襯底為生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延層提供穩(wěn)定基底，保證外延層的晶體結(jié)構(gòu)與襯底晶格匹配，從而為晶體管、二極管等器件的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。在光電器件制造方面，如發(fā)光二極管（LED），藍(lán)寶石襯底常被使用，它為 LED 芯片的生長(zhǎng)提供了合適的晶格結(jié)構(gòu)，有助于實(shí)現(xiàn)高效的光電轉(zhuǎn)換。此外，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅襯底因其優(yōu)良的熱導(dǎo)率和電

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半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料

半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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硬盤玻璃的表面拋光主要用什么工藝？

    硬盤玻璃（也稱為硬盤盤片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）盤片的特殊玻璃材料。它是硬盤盤片的基礎(chǔ)材料，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。硬盤玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學(xué)強(qiáng)化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點(diǎn)。硬盤玻璃的表面拋光是其制造過(guò)程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因?yàn)橛脖P盤片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫的精確性。硬盤玻璃的表面拋光主要采用CMP化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

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突破技術(shù)壁壘：國(guó)產(chǎn)拋光墊替代Suba800的崛起之路

國(guó)產(chǎn)替代Suba800拋光墊（CMP Pad）的產(chǎn)品在近年來(lái)取得了顯著的技術(shù)進(jìn)步，逐漸在半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)上占據(jù)一席之地。以下是Suba拋光墊國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)：一、Suba拋光墊國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)1.成本優(yōu)勢(shì)?國(guó)產(chǎn)CMP拋光墊的價(jià)格通常比進(jìn)口產(chǎn)品低，能夠顯著降低生產(chǎn)成本，尤其適合對(duì)成本敏感的企業(yè)。?減少了進(jìn)口關(guān)稅和物流費(fèi)用，進(jìn)一步降低了采購(gòu)成本。2.供應(yīng)鏈穩(wěn)定?國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)避免了國(guó)際供應(yīng)鏈的不確定性（如貿(mào)易摩擦、物流延遲等），供貨周期更短，響應(yīng)速度更快。?國(guó)內(nèi)廠商通常能提供更靈活的CMP拋光耗材訂單服務(wù)，支持

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CMP拋光液:精密光學(xué)鏡頭制造的幕后英雄

CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)在光學(xué)制造領(lǐng)域確實(shí)扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學(xué)元件的加工中。CMP拋光液通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對(duì)表面粗糙度和形狀精度的嚴(yán)苛要求。 吉致電子光學(xué)玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域：①精密光學(xué)鏡頭：在手機(jī)攝像頭、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)系統(tǒng)中，通過(guò)CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學(xué)鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學(xué)窗口：航空航天光學(xué)窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)

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鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點(diǎn)

鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液是一種專門設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學(xué)機(jī)械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實(shí)現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見的氧化劑包括過(guò)氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調(diào)節(jié)劑：拋光液的pH值通?？刂圃?-11之間，以優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)和

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磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)

磷化銦襯底拋光液與化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）的關(guān)聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實(shí)現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵，其中化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關(guān)重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術(shù)CMP是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的表面平坦化技術(shù)，通過(guò)拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機(jī)械作用將其去除，從而實(shí)

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無(wú)蠟吸附墊：精密制造的卓越之選

無(wú)蠟吸附墊的設(shè)計(jì)充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實(shí)際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過(guò)程中產(chǎn)生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。 以下是吉致電子無(wú)蠟吸附墊的介紹：組合式無(wú)蠟拋光吸附墊 結(jié)構(gòu)：包括基布、吸附結(jié)構(gòu)和粘貼結(jié)構(gòu)。吸附結(jié)構(gòu)由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設(shè)置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開時(shí)減少吸附力的作用；粘貼結(jié)構(gòu)包括無(wú)殘留雙面膠和離型紙，無(wú)殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無(wú)殘留雙面膠上 。 優(yōu)點(diǎn)：

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影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對(duì)拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過(guò)程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當(dāng)增加壓力可以提高拋光效率，但過(guò)高的壓力可能導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺(tái)的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動(dòng)狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導(dǎo)致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時(shí)間：由襯底需要去除

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吉致電子給您拜年啦！

親愛的吉致電子合作伙伴：您好！2025年的春節(jié)鐘聲已經(jīng)敲響，在這辭舊迎新、闔家團(tuán)圓的美好時(shí)刻，吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠(chéng)摯、最美好的新春祝福！過(guò)去一年，我們一同見證了行業(yè)的風(fēng)云變幻，也共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但無(wú)論市場(chǎng)環(huán)境如何復(fù)雜，您始終堅(jiān)定地站在我們身邊，與我們并肩前行。這種不離不棄的信任，是我們最為珍視的財(cái)富，也是我們持續(xù)創(chuàng)新、提升自我的強(qiáng)大動(dòng)力源泉。值此新春佳節(jié)，愿您和您的家人盡享健康之福，身體硬朗，活力滿滿。家庭生活幸福美滿，親情在歡聲笑語(yǔ)中愈發(fā)深厚，每天都被溫暖與愛意環(huán)繞。新的一年，

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碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

SiC CMP拋光液是一種用于對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的關(guān)鍵材料，通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達(dá)到超光滑、無(wú)缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應(yīng)用等對(duì)襯底表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對(duì)碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時(shí)調(diào)整化學(xué)試劑的種類和濃度，增強(qiáng)

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碳化硅襯底CMP工藝流程

碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準(zhǔn)備工作：對(duì)碳化硅SiC襯底進(jìn)行清洗和預(yù)處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時(shí)，檢查CMP拋光設(shè)備是否正常運(yùn)行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過(guò)自動(dòng)供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過(guò)程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過(guò)程：將SiC襯底固定在拋光機(jī)的承載臺(tái)/無(wú)蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機(jī)帶動(dòng)襯底和拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對(duì)碳化硅襯底表面進(jìn)行機(jī)械磨削，同時(shí)拋光液

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吉致電子2025年春節(jié)放假通知

尊敬的吉致電子合作伙伴：您好！舊歲已展千重錦，新年再進(jìn)百尺竿。在這辭舊迎新的美好時(shí)刻，無(wú)錫吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠(chéng)摯的新春祝福，感謝您一直以來(lái)對(duì)我們的支持與信任，您的認(rèn)可與信賴是我們不斷前行的動(dòng)力?；厥走^(guò)去一年，我們共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)，也一同收獲了成長(zhǎng)與進(jìn)步。我們深知，每一次突破與成就，都離不開您的堅(jiān)定支持。您的寶貴建議，讓我們的產(chǎn)品和服務(wù)不斷完善，得以更精準(zhǔn)地滿足您的需求。在此，我們向您表達(dá)最衷心的感謝。現(xiàn)將我司 2025年春節(jié)放假時(shí)間安排告知如下：放假時(shí)間為 2025 年 1 月&nb

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半導(dǎo)體CMP--碳化硅襯底無(wú)蠟吸附墊的特點(diǎn)

碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無(wú)蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢(shì)：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強(qiáng)大負(fù)壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動(dòng)，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導(dǎo)體無(wú)蠟吸附墊強(qiáng)而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過(guò)大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時(shí)，能有效避免因吸附不穩(wěn)導(dǎo)致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡(jiǎn)化工藝流程無(wú)需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，

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