吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過(guò)程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(zhǎng)的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來(lái)實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過(guò)夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝

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國(guó)際第三代半導(dǎo)體年度盛會(huì)--吉致電子半導(dǎo)體拋光耗材受關(guān)注

  吉致電子受邀出席第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會(huì)頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會(huì)頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢(shì)品牌所創(chuàng)立，獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)吉致電子在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出色表現(xiàn)的高度認(rèn)可。  后摩爾時(shí)代，發(fā)展正當(dāng)時(shí)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。半導(dǎo)體業(yè)繼往開(kāi)來(lái)進(jìn)入新的發(fā)展階段，論壇期間氛圍熱烈，學(xué)術(shù)報(bào)告、行業(yè)

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氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光

  氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光，需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來(lái)研磨快速去除表面缺陷和不良，精細(xì)拋光液用來(lái)平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時(shí)間，同時(shí)提高陶瓷工件拋光的質(zhì)量，幫助客戶縮短工時(shí)提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過(guò)程一般包括雙面研磨（35-60分鐘）和精細(xì)拋光（120分鐘）。在不到2.5小時(shí)的時(shí)間里，得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案：①雙面研磨（35-60分鐘）搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細(xì)拋

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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高，金剛石粒徑均勻，懸浮液分散充分。其特點(diǎn)是不結(jié)晶、不團(tuán)聚，磨削力強(qiáng)，拋光效果好?？梢詽M足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉，結(jié)合吉致專利配方工藝，調(diào)配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實(shí)際使用中工件研磨速率穩(wěn)定，材料去除率高

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圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛(ài)的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過(guò)最美好的圣誕節(jié)！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂(lè)。祝大家：平安喜樂(lè)，萬(wàn)事順?biāo)臁?ldquo;誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠(yuǎn)開(kāi)心快樂(lè)，希望快樂(lè)不止圣誕！

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CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(zhǎng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

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吉致電子應(yīng)邀出席半導(dǎo)體國(guó)際論壇并斬獲獎(jiǎng)牌

  2023年11月28日第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開(kāi)幕。IFWS&SSLCHINA是中國(guó)地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強(qiáng)、影響力最大的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際性年度盛會(huì)，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會(huì)，斬獲大會(huì)頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會(huì)頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢(shì)品牌所創(chuàng)立，

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金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達(dá)到鏡面效果。  鉬的特點(diǎn)：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機(jī)械性能。由于原子間結(jié)合力極強(qiáng)，所以在常溫和高溫下強(qiáng)度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對(duì)大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度、高耐腐蝕性等特點(diǎn)。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計(jì)算機(jī)、儀器儀表、半導(dǎo)體電子設(shè)備、汽車等各個(gè)領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過(guò)CMP拋光后可用于半導(dǎo)體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達(dá)鏡面效果，特點(diǎn)如下：1、納米級(jí)拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無(wú)污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過(guò)CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄且剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機(jī)械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復(fù)始的進(jìn)行磨拋，達(dá)到表面平坦效果。  通過(guò)研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對(duì)SiC晶片進(jìn)行機(jī)械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機(jī)械損傷層。為進(jìn)一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議“優(yōu)秀組織獎(jiǎng)”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會(huì)議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題，邀請(qǐng)全球60余位知名專家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機(jī)構(gòu)蒞臨會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)，通過(guò)大會(huì)報(bào)告、專場(chǎng)報(bào)告、高峰論壇、口頭報(bào)告、項(xiàng)目路演和墻報(bào)等形式，分享全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)最新研究進(jìn)展，交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀點(diǎn)，展示企業(yè)先進(jìn)成果，促進(jìn)行業(yè)互聯(lián)互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會(huì)議，并在會(huì)議期間設(shè)有展臺(tái)。吉致電子的代表們與全球各地的專家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過(guò)程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層，研磨液中會(huì)使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續(xù)的精細(xì)拋光，因此使用粒徑較細(xì)的磨粒研磨晶片。  為獲

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第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

  隨著國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來(lái)比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。  隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場(chǎng)需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

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半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無(wú)損傷的平坦化表面。對(duì)于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝來(lái)進(jìn)行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達(dá)到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過(guò)程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過(guò)最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯(cuò)密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液

  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍(lán)寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有

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吉致電子手機(jī)中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理

手機(jī)中框、智能穿戴設(shè)備表面處理，有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專用拋光液及拋光耗材，速率快效果好。手機(jī)中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高，需要達(dá)到鏡面效果，鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對(duì)較硬的材質(zhì)手機(jī)中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達(dá)到一個(gè)高亮面的效果，其效果可達(dá)到：1.懸浮性好，不易沉淀；2.顆粒分散均勻，不團(tuán)聚，軟硬度適中，有效避免拋光過(guò)程中由于顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致 的工件表面劃傷缺陷。3.運(yùn)用拋光過(guò)程中的化學(xué)新作用，提高拋光速度，改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一，程度提升拋光速率的同時(shí)降低微

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導(dǎo)熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)。  吉致電子生產(chǎn)的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、集成電路、光學(xué)儀器，精密陶瓷，硬質(zhì)合金，LED顯示屏等多種領(lǐng)域。溶劑一般分為水基，油基，潤(rùn)滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過(guò)吉致電子研發(fā)和實(shí)驗(yàn)，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達(dá)到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級(jí)磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過(guò)CMP工藝可有效去除基底涂層，對(duì)基底無(wú)劃傷無(wú)殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致電子--磨具拋光液 配油盤加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤由強(qiáng)度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達(dá)到拋光效果，即使有效拋磨時(shí)間也非常漫長(zhǎng)。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合，通過(guò)不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達(dá)到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實(shí)現(xiàn)平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液，由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，配方多樣化，適用不同的研拋過(guò)程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無(wú)錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無(wú)錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)

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