吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性

  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域，并且在未來的 5G 通訊、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的

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吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別

  在半導(dǎo)體制造過程中，襯底和晶圓是兩個(gè)常見的術(shù)語。它們扮演著重要的角色，但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別。  襯底---作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎(chǔ)。襯底可以看作是半導(dǎo)體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。  晶圓---則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

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吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^(qū)別： 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料，它們的主要區(qū)別在于晶體結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣：  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的，其晶體結(jié)構(gòu)具有高度的有序性和一致性，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的，每個(gè)小晶體的晶體結(jié)構(gòu)都有一定的差異，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較復(fù)雜。 ②

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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng)，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。  碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢(shì)使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對(duì)器件的使用性能有著極為重要的影響。因

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SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，近年來隨著新能源汽車、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā)，深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的

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半導(dǎo)體襯底和外延的區(qū)別是什么？

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會(huì)有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是什么呢？  在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，晶圓制備過程中存在兩個(gè)重要環(huán)節(jié)：①是襯底的制備，②是外延工藝的實(shí)施。這兩個(gè)環(huán)節(jié)的區(qū)別是怎樣的，存在的意義又有何不同？  襯底由半導(dǎo)體單晶材料精心打造的晶圓片，可以作為基礎(chǔ)直接投入晶圓制造的流程來生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，或者進(jìn)一步通過外延工藝來增強(qiáng)性能

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CMP設(shè)備及耗材對(duì)半導(dǎo)體硅片拋磨有影響嗎？

CMP設(shè)備及耗材對(duì)工藝效果影響嗎？答案是：有關(guān)鍵影響。CMP工藝離不開設(shè)備機(jī)臺(tái)及耗材，其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下：①設(shè)備參數(shù)：拋光時(shí)間、研磨盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等；②研磨液參數(shù)：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數(shù)等 ；③拋光墊參數(shù)：硬度、密度、空隙大小、彈性等；④CMP對(duì)象薄膜參數(shù)：種類、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等，對(duì) CMP 工藝效應(yīng)均有關(guān)鍵影響。1. CMP 拋

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碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導(dǎo)體，由于在物理結(jié)構(gòu)上具有能級(jí)禁帶寬的特點(diǎn)，又稱為寬禁帶半導(dǎo)體，主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導(dǎo)體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區(qū)別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢(shì)，從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限。  化學(xué)

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鈮酸鋰晶體怎么拋光？

 鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應(yīng)等多種性質(zhì)的功能材料，是目前公認(rèn)為光電子時(shí)代"光學(xué)硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關(guān)、光通訊調(diào)制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應(yīng)用。  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應(yīng)用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研

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什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝

碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝，是目前大部分國內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)?；a(chǎn)的工藝方案，對(duì)碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，

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研磨液和拋光液在半導(dǎo)體芯片加工中的應(yīng)用

  磨削和研磨等磨料處理是半導(dǎo)體芯片加工過程中的一項(xiàng)重要工藝，主要是應(yīng)用化學(xué)研磨液混配磨料的方式對(duì)半導(dǎo)體表面進(jìn)行精密加工，但是研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來 說是十分重要的。拋光和研磨在半導(dǎo)體生產(chǎn)中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運(yùn)用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，經(jīng)過研具與工件在一定壓力下的相對(duì)運(yùn)動(dòng)對(duì)加工件表面進(jìn)行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，工件的外形有平面，內(nèi)、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型

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碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些？

  襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用。有數(shù)據(jù)顯示，襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%，外延片占25%，器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與Si硅片相比，SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過程包括單晶多線切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿足外延生長的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì)，不僅具有高硬度的特點(diǎn)，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表

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藍(lán)寶石研磨液在CMP襯底工件的應(yīng)用

  藍(lán)寶石研磨液(又稱為藍(lán)寶石拋光液)是用于在藍(lán)寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍(lán)寶石研磨液由金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時(shí)不易對(duì)工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研磨和拋光。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液在藍(lán)寶石襯底方面的應(yīng)用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍(lán)寶石研磨一道或多道工序，根據(jù)最終藍(lán)寶石襯底研磨要求用6um、3

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CMP制程中拋光墊的作用有哪些？

  CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；③使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力

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碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝

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國際第三代半導(dǎo)體年度盛會(huì)--吉致電子半導(dǎo)體拋光耗材受關(guān)注

  吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會(huì)頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會(huì)頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢(shì)品牌所創(chuàng)立，獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)吉致電子在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出色表現(xiàn)的高度認(rèn)可。  后摩爾時(shí)代，發(fā)展正當(dāng)時(shí)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來發(fā)展機(jī)遇。半導(dǎo)體業(yè)繼往開來進(jìn)入新的發(fā)展階段，論壇期間氛圍熱烈，學(xué)術(shù)報(bào)告、行業(yè)

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氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光

  氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光，需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來研磨快速去除表面缺陷和不良，精細(xì)拋光液用來平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時(shí)間，同時(shí)提高陶瓷工件拋光的質(zhì)量，幫助客戶縮短工時(shí)提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過程一般包括雙面研磨（35-60分鐘）和精細(xì)拋光（120分鐘）。在不到2.5小時(shí)的時(shí)間里，得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案：①雙面研磨（35-60分鐘）搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細(xì)拋

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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高，金剛石粒徑均勻，懸浮液分散充分。其特點(diǎn)是不結(jié)晶、不團(tuán)聚，磨削力強(qiáng)，拋光效果好。可以滿足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉，結(jié)合吉致專利配方工藝，調(diào)配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實(shí)際使用中工件研磨速率穩(wěn)定，材料去除率高

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圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節(jié)！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家：平安喜樂，萬事順?biāo)臁?ldquo;誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠(yuǎn)開心快樂，希望快樂不止圣誕！

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