藍(lán)寶石襯底CMP拋光新視野:氧化鋁與氧化硅的多元應(yīng)用
在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝中,拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料,以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累,為您深入剖析這兩種材料在藍(lán)寶石襯底CMP拋光中的特性與應(yīng)用。
氧化鋁拋光液在藍(lán)寶石拋光中的特性
①硬度匹配優(yōu)勢(shì)
α-氧化鋁的硬度與藍(lán)寶石極為接近,這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上,相近的硬度可能會(huì)增加劃傷藍(lán)寶石表面的風(fēng)險(xiǎn),但在實(shí)際應(yīng)用中,只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻,就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下,憑借硬度匹配的優(yōu)勢(shì),磨料與藍(lán)寶石表面能夠充分且高效地相互作用,快速去除材料,實(shí)現(xiàn)較高的拋光速率,顯著縮短藍(lán)寶石襯底的加工時(shí)間,降低生產(chǎn)成本。
水化作用促進(jìn)高質(zhì)量表面形成
在拋光過程中,氧化鋁與藍(lán)寶石基底均會(huì)形成水化層,該水化層質(zhì)地比基底層更軟。當(dāng)磨料與基底在拋光壓力下緊密貼合并發(fā)生剪切運(yùn)動(dòng)時(shí),二者表面相互粘附,進(jìn)一步的剪切動(dòng)作使磨料粒子能夠順利撕開鍵合的水化層。這種作用機(jī)制不僅有利于材料的去除,更能生成高質(zhì)量的拋光表面,滿足藍(lán)寶石襯底對(duì)表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。
②出色的穩(wěn)定性
氧化鋁拋光液在循環(huán)使用過程中展現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性,受溫度等外界因素的影響極小。與二氧化硅拋光液相比,使用氧化鋁拋光液無需對(duì)溫度進(jìn)行嚴(yán)格把控。在實(shí)際生產(chǎn)中,這意味著使用氧化鋁拋光液能夠有效減少因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的工藝偏差,確保拋光工藝的持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行,降低生產(chǎn)過程中的不確定性,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。
氧化硅拋光液在藍(lán)寶石拋光中的特性
①適中硬度實(shí)現(xiàn)高精度拋光
氧化硅的莫氏硬度為 7,低于藍(lán)寶石的莫氏硬度 9。納米級(jí)的二氧化硅具有極高的表面活性,能夠與藍(lán)寶石表面發(fā)生固相化學(xué)反應(yīng),生成質(zhì)地較軟的硅酸鋁二水化合物反應(yīng)層。氧化硅的硬度處于理想范圍,高于反應(yīng)層硬度,能夠高效去除反應(yīng)層,同時(shí)又低于藍(lán)寶石基體材料硬度,避免對(duì)基體表面造成新的損傷,從而實(shí)現(xiàn)極低的表面粗糙度。通常情況下,使用氧化硅拋光液拋光后,通過原子力顯微鏡測(cè)試得到的拋光表面粗糙度(Ra)可低至0.3nm以下,為藍(lán)寶石襯底提供極為精細(xì)的拋光效果。
②顆粒可控滿足多元需求
氧化硅磨粒的顯著優(yōu)勢(shì)在于其顆粒大小可根據(jù)需求精準(zhǔn)調(diào)控。利用這一特性,能夠制備出分散性能優(yōu)良的硅溶膠。在實(shí)際拋光作業(yè)中,吉致電子可依據(jù)不同的藍(lán)寶石襯底拋光需求,靈活調(diào)整氧化硅磨粒的大小,實(shí)現(xiàn)良好的拋光選擇性。這種靈活性使得氧化硅在多種材料的精密拋光領(lǐng)域,尤其是藍(lán)寶石晶體的拋光中得到廣泛應(yīng)用。
藍(lán)寶石襯底拋光液綜合比較與應(yīng)用選擇
總體來看,氧化鋁拋光液在拋光速率和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)突出,但制備均勻的納米級(jí)磨料存在一定技術(shù)挑戰(zhàn);氧化硅拋光液則在拋光精度上優(yōu)勢(shì)明顯,對(duì)藍(lán)寶石表面損傷極小,但其拋光速度相對(duì)較慢。在實(shí)際的藍(lán)寶石襯底CMP拋光工藝中,吉致電子會(huì)綜合考慮具體的拋光要求、成本限制以及工藝條件等多方面因素,審慎選擇使用氧化鋁CMP拋光液或氧化硅拋光液。吉致電子不斷優(yōu)化CMP拋光工藝,為藍(lán)寶石襯底的高質(zhì)量加工提供更完善的解決方案。
無錫吉致電子科技有限公司
聯(lián)系電話:17706168670
郵編:214000
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 氧化鋁懸浮液在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中的應(yīng)用與優(yōu)化
- 硅片拋光液(Slurry)在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性
- 吉致電子:半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析
- 比鉆石更硬核!揭秘吉致電子單晶金剛石研磨液密碼
- 行業(yè)聚焦:硅片CMP研磨拋光液,如何重塑芯片制造格局
- 吉致電子:Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析
- 吉致電子解析:磷化銦襯底怎么拋光研磨
- 吉致電子:氧化鈰拋光液在CMP應(yīng)用中的3個(gè)特性
- 吉致電子科普時(shí)間:半導(dǎo)體制造中晶圓和襯底的不同應(yīng)用場(chǎng)景
- 磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)
最新資訊文章
您的瀏覽歷史
