在半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進(jìn)工藝，對CMP拋光液的化學(xué)穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù)，助力客戶突破先進(jìn)制程瓶頸。
1. 基本組成與功能
CMP拋光液由磨料顆粒、化學(xué)添加劑和超純水組成，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。
•磨料顆粒：
①SiO₂（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高穩(wěn)定性。
②CeO₂（氧化鈰）：對氮化硅（SiN）高選擇性，適用于STI工藝。
③Al₂O₃（氧化鋁）：用于金屬（如鎢、銅）拋光，機械強度高。
•化學(xué)添加劑：
氧化劑（如H₂O₂）促進(jìn)表面反應(yīng)，絡(luò)合劑防止金屬再沉積，pH調(diào)節(jié)劑控制反應(yīng)速率。

2. 核心性能指標(biāo)
•去除率（MRR）：影響生產(chǎn)效率，需與工藝需求匹配。
•表面粗糙度（Ra）：決定器件性能，需達(dá)到亞納米級平整度。
•選擇性：關(guān)鍵于多層結(jié)構(gòu)拋光（如SiO₂/SiN）。
•缺陷控制：減少劃痕、顆粒殘留及腐蝕，提升良率。
3. 半導(dǎo)體拋光液典型應(yīng)用
•介電層拋光（ILD/STI）：SiO₂  Slurry實現(xiàn)全局平坦化。
•金屬互連：
①鎢（W）拋光采用Al₂O₃基Slurry，避免過度侵蝕。
②銅（Cu）拋光需抑制碟形凹陷（Dishing）。
•先進(jìn)制程：鈷（Co）Slurry適配10nm以下節(jié)點，低介電常數(shù)（Low-k）材料拋光需降低機械應(yīng)力。
4. 技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
•穩(wěn)定性優(yōu)化：納米顆粒分散技術(shù)防止團聚。
•高選擇性需求：適配3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)。
•缺陷精準(zhǔn)控制：滿足EUV時代表面超潔凈要求（≤5nm缺陷）。
半導(dǎo)體CMP拋光液slurry的性能直接影響晶圓制造的精度與良率。吉致電子持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)，為客戶提供高適配性解決方案。

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