- [吉致動態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]
- 碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。 化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。 吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研
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http://jeffvon.com/Article/thgcdxycmp_1.html
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