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[常見(jiàn)問(wèn)題]半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]: 半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（; http://jeffvon.com/Article/bdttcmppgy_1.html

[應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]: 根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。 SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過(guò)程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類(lèi)、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。近年來(lái)，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，進(jìn)而帶動(dòng); http://jeffvon.com/Article/thgsicpggy_1.html

[行業(yè)資訊]銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？[ 2023-02-24 15:34 ]: 銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱(chēng)為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢(shì)：TSV可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子; http://jeffvon.com/Article/thxjxpgysm_1.html

吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)