- [行業(yè)資訊]SIT Slurry平坦化流程與方法[ 2022-12-15 15:44 ]
- 淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護有源區(qū)在去掉氮化硅時免受化學污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護STI氧化硅淀積過程中保護有源區(qū)；在化學機械拋光(CMP)中充當阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體
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http://jeffvon.com/Article/sitslurryp_1.html
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