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[行業(yè)資訊]芯片拋光液（CMP Slurry）：半導體平坦化的核心驅動力[ 2025-04-08 11:12 ]
在半導體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關鍵作用。吉致電子，作為深耕半導體材料領域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性
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[吉致動態(tài)]行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]
在半導體制造的前沿領域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學機械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構建微觀世界的精密電路網絡奠定了基石。一、核心構成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個精心調配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級雕琢：體系中搭載了納米級的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。
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[常見問題]半導體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導體銅化學機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導體制造過程中銅互連層化學機械拋光（CMP）的關鍵材料。隨著半導體技術的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結構，CU CMP Slurry通過化學腐蝕與機械研磨的結合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP（化學機械拋光）技術在光學制造領域確實扮演著至關重要的角色，尤其是在高精度光學元件的加工中。CMP拋光液通過化學腐蝕和機械研磨的結合，能夠實現(xiàn)光學玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。 吉致電子光學玻璃CMP Slurry的應用領域：①精密光學鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質量。②航空航天光學窗口：航空航天光學窗口面臨復雜空間環(huán)
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[吉致動態(tài)]為什么不能用機械磨削grinding代替cmp？[ 2025-01-09 15:29 ]
  為何僅在晶圓背面減薄過程中采用grinding工藝？盡管在芯片制程中也存在減薄需求，為何選擇cmp工藝而非grinding？Grinding與cmp工藝的原理是什么？Grinding，即機械磨削，是一種通過機械力直接去除晶圓表面材料的方法。通常不使用研磨液，而是利用超純水進行清洗或帶走產生的碎屑和熱量。相比之下，cmp即化學機械研磨，結合了化學反應與機械力來去除材料。目標材料首先與cmp slurry中的氧化劑、酸、堿等發(fā)生微反應，隨后在拋光頭、拋光墊以及slurry中磨料的共同作用下，通過機械力去除
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[行業(yè)資訊]吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗高效拋光[ 2024-11-29 14:35 ]
  CMP（化學機械拋光）拋光墊是一種在半導體制造過程中用于平面化晶圓表面的關鍵材料。CMP拋光墊通過結合化學反應和機械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達到高度平整的表面質量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結構，以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質量
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[常見問題]CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
  半導體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領域的應用遠不止晶圓拋光，半導體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術是用氧化物隔開各個門電路，使各門電路之間互不導通，STI CMP工藝的目標是去除填充在淺溝槽中的
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