在半導體晶圓拋光領域傳統(tǒng)“蠟模裝夾”工藝存在效率低、良率受限等痛點，而半導體真空吸附墊Template技術的創(chuàng)新和使用正在推動行業(yè)變革。吉致電子通過定制化半導體晶圓拋光的CMP（化學機械平坦化）無蠟吸附墊、真空吸附板設計，可為半導體領域客戶提升生產效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過「無蠟革命」，為硅片、晶圓、SiC、藍寶石襯底、光學玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。

傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點

效率瓶頸

蠟模需加熱/冷卻固化，單次裝夾耗時30分鐘以上，影響產能。

殘留蠟清洗工序復雜，增加非生產性時間。

良率挑戰(zhàn)

蠟層厚度不均導致應力分布差異，引發(fā)微劃傷或邊緣崩缺（Edge Chipping）。

高溫工藝對超薄晶圓（如<100μm）的熱變形風險。

成本與環(huán)保壓力

耗材（蠟、溶劑）持續(xù)消耗，廢棄物處理成本上升。

不符合半導體行業(yè)減碳趨勢。

吉致電子Template吸附墊的技術突破點：

高精度氣密設計

多區(qū)微孔真空吸附+氣壓自適應控制，實現<0.1μm的平面度公差（適用于300mm晶圓）。

材料兼容性創(chuàng)新

碳纖維復合材料或陽極氧化鋁基板，兼顧輕量化與抗化學腐蝕（CMP漿料耐受性）。

定制化服務

根據客戶晶圓尺寸（如8/12英寸）、曲率（SiC襯底翹曲補償）、圖案化襯底（如TSV晶圓）提供優(yōu)化吸附墊設計方案。

吉致電子無蠟吸附墊適用于哪些工藝？

我們與客戶緊密合作，確保吸附墊的設計方案通過認證并滿足物理規(guī)格要求。 適

用于各種拋光工藝包括：

翻轉拋光（Flip Polish）

接觸拋光（Touch Polish）

單面拋光（Single-Side Polish）

化學機械拋光（CMP）

吉致電子無蠟吸附墊可有效防止CMP加工過程中晶圓、襯底穿插和剝離現象的發(fā)生，提高拋光墊的使用壽命。同時避免工件碎片、崩角、刮傷現象的產生，提高硅片晶圓的良品率。在半導體制造工藝不斷突破3nm/5nm節(jié)點的當下，吉致電子憑借自主研發(fā)的無蠟吸附墊技術，以創(chuàng)新的材料科學和精密制造工藝，為先進封裝及化合物半導體領域提供了更潔凈、更可靠的晶圓固定解決方案，為產業(yè)升級注入新動能。

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