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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動(dòng)態(tài)]氧化鋁懸浮液在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中的應(yīng)用與優(yōu)化[ 2025-04-02 14:04 ]
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體制造、光學(xué)玻璃加工和集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機(jī)械磨削性能和化學(xué)可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導(dǎo)體精密電子材料供應(yīng)商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細(xì)介紹氧化鋁CMP懸浮液的關(guān)鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應(yīng)用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關(guān)鍵指標(biāo)，以確保高拋光效率、低表面損傷和長(zhǎng)期穩(wěn)定性：性能指標(biāo)要求顆粒粒徑
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[行業(yè)資訊]金剛石研磨液在CMP工藝中的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)[ 2025-04-01 15:37 ]
化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、陶瓷、硬質(zhì)合金及精密制造行業(yè)的關(guān)鍵工藝，用于實(shí)現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對(duì)藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）、硬質(zhì)合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過(guò)精準(zhǔn)調(diào)控化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)（Chemo-Mechanical Synergy）實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)表面。1. 金剛石CMP研
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[行業(yè)資訊]陶瓷基板CMP工藝：無(wú)蠟吸附墊技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)[ 2025-03-28 16:03 ]
在半導(dǎo)體、LED、功率電子等領(lǐng)域，陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性和機(jī)械強(qiáng)度被廣泛應(yīng)用。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的關(guān)鍵工藝，而傳統(tǒng)的蠟粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等問(wèn)題。無(wú)蠟吸附墊技術(shù)作為新一代CMP固定方案，憑借其高精度、環(huán)保性和成本優(yōu)勢(shì)，正逐步成為行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)蠟吸附墊技術(shù)原理無(wú)蠟吸附墊通過(guò)非接觸式固定技術(shù)取代傳統(tǒng)蠟粘接，主要采用以下兩種方式：一、真空吸附技術(shù)①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通過(guò)真空負(fù)壓均勻吸附基板②適用于各類硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可調(diào)節(jié)吸附力，
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[吉致動(dòng)態(tài)]硅片拋光液（Slurry）在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性[ 2025-03-27 17:06 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關(guān)鍵步驟。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術(shù)通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)硅片表面的納米級(jí)平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進(jìn)制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子：半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點(diǎn)不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進(jìn)工藝，對(duì)CMP拋光液的化學(xué)穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù)，助力客戶突破先進(jìn)制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學(xué)添加劑和超純水組成，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高
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[吉致動(dòng)態(tài)]行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]
在半導(dǎo)體制造的前沿領(lǐng)域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實(shí)現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關(guān)鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構(gòu)建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡(luò)奠定了基石。一、核心構(gòu)成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個(gè)精心調(diào)配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級(jí)雕琢：體系中搭載了納米級(jí)的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中。它通過(guò)獨(dú)特的機(jī)械研磨與化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的方式，幫助實(shí)現(xiàn)晶圓表面的納米級(jí)平坦化，為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了重要保障。什么是半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry？ 半導(dǎo)體Slurry是一種由研磨顆粒、化學(xué)添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液：從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強(qiáng)、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析[ 2025-03-08 10:10 ]
氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學(xué)元件等領(lǐng)域設(shè)計(jì)的高性能化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)，精準(zhǔn)去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實(shí)現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢(shì)如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準(zhǔn)表面處理通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨[ 2025-03-07 15:22 ]
磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測(cè)器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴(yán)苛，尤其是表面粗糙度需達(dá)到納米級(jí)（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機(jī)械研磨易導(dǎo)致晶格損傷，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)則成為實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點(diǎn)。一、Inp磷化銦拋光準(zhǔn)備工作材料：準(zhǔn)備好磷化銦工件，確保其表面無(wú)明顯損傷、雜質(zhì)。同時(shí)準(zhǔn)備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子：氧化鈰拋光液在CMP應(yīng)用中的3個(gè)特性[ 2025-03-04 17:19 ]
在精密制造領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的重要性不言而喻，而高品質(zhì)拋光液是其關(guān)鍵。納米氧化鈰（CeO2）因其特性，氧化鈰拋光液在半導(dǎo)體領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、晶圓硅片藍(lán)寶石襯底材料中的多元應(yīng)用，賦能多領(lǐng)域發(fā)展助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)。吉致電子作為CMP工藝耗材廠家，研發(fā)生產(chǎn)的氧化鈰拋光液選用氧化鈰微粉與高純納米氧化鈰作磨料，粒徑可按客戶需求定制。氧化鈰純度高，切削力強(qiáng)，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均勻，長(zhǎng)期儲(chǔ)存不易沉淀，確保拋光性能穩(wěn)定，為精密作業(yè)筑牢根基。氧化鈰拋光液在CMP工藝中的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：①高硬度與
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[常見(jiàn)問(wèn)題]半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（
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[常見(jiàn)問(wèn)題]硬盤(pán)玻璃的表面拋光主要用什么工藝？[ 2025-02-18 13:25 ]
    硬盤(pán)玻璃（也稱為硬盤(pán)盤(pán)片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）盤(pán)片的特殊玻璃材料。它是硬盤(pán)盤(pán)片的基礎(chǔ)材料，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。硬盤(pán)玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學(xué)強(qiáng)化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點(diǎn)。硬盤(pán)玻璃的表面拋光是其制造過(guò)程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因?yàn)橛脖P(pán)盤(pán)片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫(xiě)的精確性。硬盤(pán)玻璃的表面拋光主要采用CMP化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學(xué)鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)在光學(xué)制造領(lǐng)域確實(shí)扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學(xué)元件的加工中。CMP拋光液通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對(duì)表面粗糙度和形狀精度的嚴(yán)苛要求。 吉致電子光學(xué)玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域：①精密光學(xué)鏡頭：在手機(jī)攝像頭、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)系統(tǒng)中，通過(guò)CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學(xué)鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學(xué)窗口：航空航天光學(xué)窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)
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[常見(jiàn)問(wèn)題]鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點(diǎn)[ 2025-02-08 15:14 ]
鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液是一種專門(mén)設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學(xué)機(jī)械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實(shí)現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見(jiàn)的氧化劑包括過(guò)氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調(diào)節(jié)劑：拋光液的pH值通常控制在9-11之間，以優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)和
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案[ 2025-01-23 17:18 ]
SiC CMP拋光液是一種用于對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的關(guān)鍵材料，通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達(dá)到超光滑、無(wú)缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應(yīng)用等對(duì)襯底表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對(duì)碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時(shí)調(diào)整化學(xué)試劑的種類和濃度，增強(qiáng)
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP--碳化硅襯底無(wú)蠟吸附墊的特點(diǎn)[ 2025-01-16 16:42 ]
碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無(wú)蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢(shì)：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強(qiáng)大負(fù)壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動(dòng)，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導(dǎo)體無(wú)蠟吸附墊強(qiáng)而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過(guò)大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時(shí)，能有效避免因吸附不穩(wěn)導(dǎo)致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡(jiǎn)化工藝流程無(wú)需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP Pad化學(xué)機(jī)械拋光墊[ 2024-12-27 18:27 ]
吉致電子專注研發(fā)、設(shè)計(jì)、測(cè)試與生產(chǎn)制造CMP耗材，CMP PAD化學(xué)機(jī)械拋光墊用于半導(dǎo)體制造、平面顯示器、光學(xué)玻璃、各類晶圓襯底材料、高精密陶瓷件、金屬與硬盤(pán)基板的研磨拋光工藝。吉致電子CMP拋光墊采用精密涂布技術(shù)和科技材料能有效提升客戶制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致拋光墊團(tuán)隊(duì)從事高分子材料合成、發(fā)泡技術(shù)與復(fù)合材料研制已有多年經(jīng)驗(yàn)，積累深厚的材料制造和研發(fā)基礎(chǔ).拋光墊產(chǎn)品因其特殊纖維材質(zhì)，耐用、耐磨、耐酸堿，價(jià)比高。PAD產(chǎn)品包括且不限于：聚氨酯拋光墊、阻尼布精拋墊、復(fù)合拋光墊、絨面拋光墊、無(wú)紡布拋光
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[吉致資訊]吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些[ 2024-12-17 15:37 ]
吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些？化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前國(guó)際上公認(rèn)的唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的技術(shù)，在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。CMP精拋墊，作為CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨（Chemical Mechanical Polishing）精拋階段所使用的拋光墊，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的關(guān)鍵耗材。吉致電子CMP拋光墊--精拋墊的功能特點(diǎn)將通過(guò)以下四個(gè)方面進(jìn)行闡述：  CMP精拋墊在CMP工藝流程中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，其主要功能涵蓋：1.確保拋光液能夠高效且均勻
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[行業(yè)資訊]吉致電子---碲鋅鎘襯底用什么拋光液？[ 2024-12-06 14:58 ]
  碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測(cè)器、X射線和伽馬射線探測(cè)器以及紅外探測(cè)器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于其高電阻率、高原子序數(shù)和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設(shè)備。此外，它還具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械加工性能，使其在制造過(guò)程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進(jìn)行CMP加工呢？   碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Pl
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