化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測(cè)試。

  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。

  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來(lái)分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL），前段制程工藝主要為 STI-CMP 和 Poly-CMP，后段制程工藝主要為介質(zhì)層 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金屬層 W-CMP、Cu-CMP 等。

 在后道封裝領(lǐng)域：CMP 用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光，如硅通孔（TSV）技術(shù)、 扇出（Fan-Out）技術(shù)、2.5D 轉(zhuǎn)接板（interposer）、3D IC 等封裝技術(shù)中對(duì)引線尺寸要求 更小更細(xì)，因此會(huì)引入刻蝕、光刻等工藝，而 CMP 作為每道工藝間的拋光工序，也得以廣 泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝中。

  CMP技術(shù)利用磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來(lái)進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光，避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。由此而見(jiàn)，CMP是先進(jìn)集成電路制造前道工序、先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)必需的關(guān)鍵制程工藝。

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