光儲(chǔ)行業(yè)玻璃硬盤CMP拋光解決方案
一、玻璃硬盤CMP拋光液的技術(shù)原理
CMP拋光是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的精密表面處理技術(shù)。對(duì)于玻璃硬盤基板而言,CMP拋光過(guò)程涉及復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用:
化學(xué)作用:拋光液中的化學(xué)組分與玻璃表面發(fā)生反應(yīng),生成易于去除的軟化層或反應(yīng)產(chǎn)物。對(duì)于硅酸鹽玻璃,通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應(yīng)。
機(jī)械作用:拋光墊和研磨顆粒通過(guò)機(jī)械摩擦去除表面反應(yīng)層,同時(shí)暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學(xué)反應(yīng)。
協(xié)同效應(yīng):理想的拋光過(guò)程要求化學(xué)腐蝕速率與機(jī)械去除速率達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,以獲得超光滑無(wú)損傷的表面。
二、玻璃硬盤對(duì)CMP拋光液的性能要求
為滿足高密度存儲(chǔ)的苛刻要求,玻璃硬盤CMP拋光液需具備以下特性:
高材料去除率:提高生產(chǎn)效率,通常要求MRR>1μm/min
優(yōu)異的表面質(zhì)量:表面粗糙度(Ra)<0.2nm無(wú)劃痕、凹坑等表面缺陷
高選擇性:對(duì)玻璃基板與可能存在的其他材料(如金屬膜層)具有差異去除能力
良好的穩(wěn)定性:磨料分散性好緩沉降,磨拋過(guò)程中性能穩(wěn)定,pH適中對(duì)設(shè)備無(wú)腐蝕性
環(huán)境友好性:無(wú)毒、易處理,符合環(huán)保法規(guī)
未來(lái)需要材料科學(xué)、表面化學(xué)、流體力學(xué)等多學(xué)科協(xié)同創(chuàng)新,開(kāi)發(fā)新一代高性能、智能化、環(huán)保型CMP拋光液,以滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)對(duì)超高精度表面加工的需求。同時(shí)CMP拋光液技術(shù)與拋光設(shè)備、工藝參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化將成為提升玻璃硬盤性能與降低制造成本的關(guān)鍵路徑。選擇吉致電子,選擇卓越的表面處理解決方案!
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