吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

碳化硅Sic襯底加工流程有哪些[ 08-09 17:14 ]

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡單流程可概括為原料合成→晶體生長→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場下部和頂部，通過電磁感應(yīng)將

半導體拋光---硅片拋光墊怎么選[ 08-08 16:31 ]

  硅片拋光涉及到半導體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域，硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料，可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)，達到不同表面加工的需求。在微電子、半導體、光電等領(lǐng)域中，CMP拋光墊的使用越來越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

藍寶石拋光用什么拋光液[ 07-28 17:29 ]

  在生產(chǎn)藍寶石襯底的時候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟，切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過CMP研磨拋光技術(shù)來達到工件平坦度，拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會導致拋光時間過長而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配

鎢鋼用什么研磨液和拋光液[ 06-07 11:22 ]

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼，在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛，隨著對深加工產(chǎn)品需求的高漲，硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細、超粗及涂層復合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液？  鎢鋼用于高精度機械加工、高精度刀具材料、車床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類硬質(zhì)工件需要經(jīng)過研磨拋光工藝來達到使用標準。鎢鋼特點是耐磨、硬度高、韌性強，耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，尤其它的高硬度和耐

CMP常用化學拋光液有哪些[ 05-17 10:42 ]

   CMP技術(shù)（化學機械研磨）是現(xiàn)代半導體制造中非常重要的一項技術(shù)，在半導體制造中的應(yīng)用最多，通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì)，達到工件表面平坦化，保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分，它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物，以達到平坦化的效果。CMP常用化學拋光液有哪些？常見的CMP化學拋光液有氧化鋁（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化鈰（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題[ 05-09 17:17 ]

 二氧化硅拋光液在拋光過程中會出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問題但如果處理不當，很可能會導致工件表面劃傷甚至報廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題呢？  首先要了解硅溶膠拋光液的特點屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實際CMP拋光工藝當中硅溶膠拋光液會一直在研磨盤轉(zhuǎn)動、流動，結(jié)晶情況較少。  因此氧化

藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現(xiàn)高平坦度表面[ 04-26 11:10 ]

  吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍寶石拋光液。專業(yè)用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光液由純度高的磨粒、復合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點。   通過CMP工藝搭配藍寶石專用slurry可實現(xiàn)藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n

不銹鋼工件原始品質(zhì)對CMP拋光效果的影響[ 02-16 15:22 ]

  不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良，不僅取決于拋光方案設(shè)計、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數(shù)設(shè)置，不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當拋光效果不盡人意時，不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進行評估和優(yōu)化，同時對于工件的質(zhì)量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質(zhì)對CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會對拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加

吉致電子---氧化鈰研磨液在半導體CMP制程中的作用[ 02-10 13:09 ]

  粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導體芯片制程：應(yīng)用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進行二氧化硅沉積、后用CMP技術(shù)進行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C

吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業(yè)的應(yīng)用[ 02-09 13:14 ]

  CMP化學機械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液[ 02-06 16:10 ]

藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液？藍寶石拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液，是一種高純度的氧化硅拋光液，廣泛應(yīng)用于多種材料的納米級高平坦化拋光。吉致電子生產(chǎn)的藍寶石拋光液主要用于藍寶石襯底研磨減薄，藍寶石A向拋光液，藍寶石C向拋光液等。拋光范圍如：硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍寶石拋光液Sapphire Slurry的特點：1.高純度（Cu含量小于50 ppb），有效減小對電子類產(chǎn)品的污染。2.高拋光速率，利用大粒徑的膠

SiO2二氧化硅拋光液--硅溶膠粒徑大小的區(qū)別[ 01-06 16:24 ]

  二氧化硅拋光液SiO2 Slurry的制備中主要成分是納米硅溶膠，一般分為大粒徑硅溶膠和小粒徑硅溶膠，那么怎么定義硅溶膠粒徑大小呢，吉致電子小編為您詳解： 大粒徑硅溶膠與小粒徑硅溶膠的定義 CMP精拋液中納米硅溶膠顆粒的粒徑為10-50nm，這個粒徑范圍的硅溶膠在市場上最常見，價格也相對便宜。如果對硅溶膠的純度和pH值沒有特殊要求，這種規(guī)格的硅溶膠價格相對比較便宜。 大粒徑硅溶膠:粒徑＞50nm的硅溶膠一般可稱為大粒徑硅溶膠。吉致電子科技生產(chǎn)的大粒徑硅溶膠最大可達150n

吉致電子陶瓷基板拋光液[ 12-16 15:47 ]

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。目前，已應(yīng)用作為陶瓷覆銅板基板材料共有三種陶瓷，分別是氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致電子陶瓷基板拋光液能拋磨這3種陶瓷材料，并達到理想RA值。淺談一下三種陶瓷基板的性能：  氧化鋁陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的絕緣性、好的化學穩(wěn)定性、好的力學性能和低的價格，但由于氧化鋁陶瓷基片相對低的熱導率、與硅的熱膨脹系數(shù)匹配不好。作為高功率模塊封裝材料，氧化鋁材料的應(yīng)用前景不容樂觀。  氮化鋁覆銅板：在熱特性方面

SIC碳化硅的化學機械拋光工藝[ 12-14 16:20 ]

  碳化硅Sic單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。  SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除：機械拋光：簡單但會殘留劃痕，適用于初拋；化學機械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學腐蝕去除劃痕，適用于精拋；氫氣刻蝕：設(shè)備復雜，常用于HTCVD過程；等離子輔助拋光：設(shè)備復雜，不常用。選擇CMP

3C鏡面拋光液用什么拋光液[ 12-09 16:18 ]

  3C產(chǎn)品表面鏡面拋光一般不采用電解拋光方式，而是選擇CMP機械拋光工藝。SiO2拋光液用于3C工件的鏡面拋光工藝，主要由納米級磨料制備而成，規(guī)格一般在10nm-150nm拋光后的產(chǎn)品鏡面精度高，表面收光細膩。  氧化硅精拋液進行精拋工藝后，工件可以從霧面提升到鏡面透亮的效果。拋光液配合精拋皮使用，鏡面效果檢測可達納米級。3C金屬拋光液用于鏡面要求較高的工件拋光，因此必須做好前道工序。先粗拋打好基礎(chǔ)，再精拋去除缺陷和不良效果。  有客戶使用二氧化硅拋光液后工件表面會產(chǎn)生麻點，這是由于

吉致電子拋光液---溫度對藍寶石襯底CMP工藝的影響[ 12-08 15:40 ]

  溫度在藍寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對CMP工藝的影響體現(xiàn)在拋光的各個環(huán)節(jié)。  在CMP工藝的化學反應(yīng)過程和機械去除過程這兩個環(huán)節(jié)中, 受溫度影響十分強烈。一般來說, 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學腐蝕嚴重, 表面完美性差。所以, 藍寶石拋光液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內(nèi), 這樣才能滿足圓晶片的平坦化要求。實驗表明, 拋光液在40℃左右的時候, 拋光速率達到了最大值, 隨著溫度繼續(xù)升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產(chǎn)生拋光液蒸騰現(xiàn)象。&nbs

藍寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響[ 12-08 11:33 ]

藍寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明，在其它條件相同情況下, 隨著藍寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對于粒徑為80nm的研磨料: 藍寶石拋光液的質(zhì)量分數(shù)為10% 時, CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質(zhì)量分數(shù)增大至15%時,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質(zhì)量分數(shù)繼續(xù)增大至20% 時, CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因為藍寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過程中參與機械磨削的粒子數(shù)增多, 相應(yīng)的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,

半導體拋光液是什么？[ 09-15 15:51 ]

  半導體拋光液是什么？簡單來說拋光液是通過化學機械反應(yīng)，去除半導體工件表面的氧化層，達到光潔度和高平坦要求的化學液體。  半導體CMP拋光液是超細固體研磨材料和化學添加劑的混合物，制備成均勻分散的懸浮液，起到研磨、潤滑和腐蝕溶解等作用，主要原料包括研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、氧化劑和分散劑等。拋光液的分類：根據(jù)酸堿性可以分為：酸性拋光液和堿性拋光液、中性拋光液。根據(jù)拋磨材質(zhì)可以分為：金屬拋光液和非金屬拋光液。根據(jù)拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等。其中，銅拋光液和鎢拋

什么是混合磨料拋光液？[ 09-08 16:12 ]

混合磨料拋光液  拋磨工件材質(zhì)的升級和發(fā)展，對鏡面要求越來越高，單一的磨料已無法滿足CMP行業(yè)需求，研究人員開始嘗試將不同粒徑、不同形貌的一種或多種粒子組合到一起使用，開發(fā)出混合型拋光液。比如，在大粒徑二氧化硅中加入小粒徑的氧化硅，這樣能明顯提高拋光速率，且粒徑相差越大提升率越高，這是因為在磨料在總的質(zhì)量分數(shù)不變的條件下，增大小粒徑磨料的占比能增加硅溶膠顆粒的總體數(shù)量，從而起到了提高拋光速率的作用。  大量的研究成果表明，混合粒子的使用能夠不同程度的提高化學機械拋光的速率，但是對拋光后表面粗糙度

什么是單一磨料的CMP拋光液？[ 08-31 16:11 ]

單一磨料拋光液化學機械CMP拋光液在研究初期大多是使用單一磨料，如氧化鋁拋光液（Al2O3）、二氧化硅拋光液（SiO2）、二氧化鈰拋光液（CeO2）、氧化鋯拋光液（ZrO2）和金剛石拋光液等。其中研究應(yīng)用最多的是Al2O3、SiO2和CeO2磨料拋光液。氧化鋁拋光液--Al2O3的硬度高，多用于藍寶石、碳化硅、光學玻璃、晶體和合金材料的拋光，但含Al2O3的拋光液會出現(xiàn)選擇性低、分散穩(wěn)定性不好、易團聚的問題，容易在拋光表面造成劃傷，一般需要配合各種添加劑使用才能獲得良好的拋光表面。氧化硅拋光液--SiO2具有良好的