吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子---碲鋅鎘襯底用什么拋光液？

  碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于其高電阻率、高原子序數(shù)和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設(shè)備。此外，它還具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和機械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進(jìn)行CMP加工呢？   碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學(xué)機械拋光（Chemical Mechanical Pl

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吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗高效拋光

  CMP（化學(xué)機械拋光）拋光墊是一種在半導(dǎo)體制造過程中用于平面化晶圓表面的關(guān)鍵材料。CMP拋光墊通過結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達(dá)到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結(jié)構(gòu)，以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質(zhì)量

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金剛石懸浮液在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

    金剛石懸浮液（CMP研磨液）在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用：適用于半導(dǎo)體晶圓拋光液CMP加工，藍(lán)寶石襯底、碳化硅晶圓、氮化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體晶片。    金剛石懸浮液在半導(dǎo)體晶圓的CMP研磨拋光中發(fā)揮著重要作用。以藍(lán)寶石襯底為例，藍(lán)寶石材質(zhì)硬度較高，傳統(tǒng)的研磨液難以達(dá)到理想的拋光效果，而金剛石懸浮液因其高硬度、高韌性的金剛石顆粒，能夠快速去除藍(lán)寶石襯底表面的材料，同時保證加工表面的光潔度。對于碳化硅SiC和氮化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體晶片，金剛石懸浮液同樣表

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吉致電子---Si硅片拋光液，為半導(dǎo)體護(hù)航

  半導(dǎo)體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體，在半導(dǎo)體材料的CMP加工過程中起著至關(guān)重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍(lán)色透明溶液。半導(dǎo)體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面，Si Slurry能夠有效地去除半導(dǎo)體硅晶圓表面的雜質(zhì)和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，經(jīng)過拋光液處理后，晶片表面的微粗糙度可以達(dá)到 0.2nm 以下。在潤滑作用中，它可以減少硅片與拋光設(shè)備之間的摩擦，降低磨損，延長設(shè)備的使用壽命。同時，在拋光過程中會產(chǎn)生熱量，而拋光液的冷卻作用可以及時帶走熱量，防止硅片

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半導(dǎo)體芯片研磨液與CMP工藝：鑄就芯片制造的基石

  CMP工藝在芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)  在蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，芯片制造如同一場精細(xì)的藝術(shù)創(chuàng)作，而半導(dǎo)體芯片研磨與CMP工藝則是其中重要的環(huán)節(jié)。芯片制造是一個高度復(fù)雜的過程，涉及多個步驟，CMP工藝在這個過程中起著不可或缺的作用。  隨著芯片制程不斷縮小，對晶圓表面平整度的要求越來越高。如果晶圓表面不平整，在后續(xù)的光刻、刻蝕等工藝中，就會出現(xiàn)對焦精度不準(zhǔn)確、線寬控制不穩(wěn)定等問題，嚴(yán)重影響芯片的性能和質(zhì)量。例如，當(dāng)制造層數(shù)增加時，如果晶圓表面不平整，可能導(dǎo)致金屬薄膜厚度不均進(jìn)而影響電阻值

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電子3C行業(yè)的好幫手---蘋果logo研磨液

 客戶經(jīng)常會問macbook鋁合金外面蘋果logo是怎么加工的？蘋果的背面Logo鏡面是怎么做的？蘋果logo拋光？ 蘋果產(chǎn)品一直以其精湛的工藝和卓越的設(shè)計而備受矚目，其中蘋果logo的研磨工藝更是在整個產(chǎn)品中起到了至關(guān)重要的作用。  蘋果logo采用了CMP化學(xué)機械平面拋光工藝，這一工藝借助CMP設(shè)備、研磨液 / 拋光液和拋光墊的共同作用，能夠使金屬工件表面達(dá)到鏡面效果，極大地提升了Apple logo的質(zhì)感。在蘋果的筆記本電腦和手機上，閃閃發(fā)光的Apple Logo常常讓人驚艷不已

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解鎖高效，硬質(zhì)合金CMP拋光液來襲

   硬質(zhì)合金是由難熔金屬的硬質(zhì)化合物和粘結(jié)金屬通過粉末冶金工藝制成的一種合金材料。它具有硬度高、耐磨、強度和韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，被譽為“工業(yè)牙齒”，廣泛用于切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件，在軍工、航天航空、機械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。常用硬質(zhì)合金按成分和性能特點分為三類:鎢鈷類、鎢鈦鈷類、鎢鈦鉭(鈮)類，每種都有其適用的領(lǐng)域和優(yōu)勢。硬質(zhì)合金平面件，如鎢鋼、鎢合金材質(zhì)等使用CMP拋光液和CMP研磨工藝能達(dá)到

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吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀

  目前，全球磷化銦（InP）晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導(dǎo)。這些國外廠商憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的經(jīng)驗，在產(chǎn)品質(zhì)量和性能方面具有顯著優(yōu)勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導(dǎo)體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。  相比之下，國內(nèi)企業(yè)的磷化銦（InP）晶圓拋光液研發(fā)起步較晚，但近年來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體的快速發(fā)展，國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進(jìn)入市場，國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入，努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品

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杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點及國產(chǎn)替代

  在半導(dǎo)體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進(jìn)行提供了有力保障。  杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過slurry的流動和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進(jìn)行。在化學(xué)機械拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成較易去除的物質(zhì)，而dupont IC1000 Pad為這一化學(xué)反應(yīng)提供了穩(wěn)定的場所。同時，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物

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吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點

  鈮酸鋰晶體LiNbO3化學(xué)機械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學(xué)機械加工工藝的優(yōu)化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低，獲得超光滑、無損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質(zhì)量，更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴(yán)格需求。在一些對表面精度要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域，如光電子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率，減少散射損耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低損耗和高折射率對比度的光波導(dǎo)是構(gòu)建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元，而超光滑的鈮酸鋰表面能夠為光波導(dǎo)提供更好的

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納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應(yīng)用及特點

  吉致電子納米級氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻，能達(dá)到快速拋光的目的且不會對加工件造成物理損傷。納米級硅溶膠拋光液不易腐蝕設(shè)備，提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面劃傷少。  吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控，根據(jù)不同的拋光需求，生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液，粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋

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襯底與晶圓材料的選擇與特性

襯底材料半導(dǎo)體襯底材料的選擇對器件性能有重大影響。常見的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底：硅SI是最常見的襯底材料，因其優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)和機械特性廣泛應(yīng)用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點。砷化鎵襯底：砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性，常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高，但在特定領(lǐng)域有無可替代的優(yōu)勢。碳化硅襯底：碳化硅SIC具有高硬度、高熱導(dǎo)率和高溫穩(wěn)定性，適用于高溫、高功率和高頻應(yīng)用。碳化硅襯底的加工難度較大，但其優(yōu)異的性能使其在特定領(lǐng)域有著重要應(yīng)用

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吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個步驟

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步：用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步：通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點偵測技術(shù)（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質(zhì)層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質(zhì)研磨液）都應(yīng)該含有H2O2、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些

半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些？晶圓常見的材質(zhì)包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導(dǎo)體器件的主要材料，因其易加工、價格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復(fù)性好，在光電子技術(shù)、光學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍(lán)寶石晶圓藍(lán)寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結(jié)構(gòu)與GaAs、Al2O3等半導(dǎo)體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應(yīng)用。此外，藍(lán)寶石的高強度、高抗腐蝕性也使其成為防護(hù)材料，如用于

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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

  襯底和晶圓是半導(dǎo)體制造過程中的兩個重要概念。襯底是作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件；而晶圓則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圓則是襯底的一部分，具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜，而晶圓用于生長材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。 襯底的應(yīng)用：承載半導(dǎo)體芯片：襯底是半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)，提供穩(wěn)定的平臺來構(gòu)建電子器件和集成電路。基礎(chǔ)層的沉積：在制造過程中，襯底上可能需要進(jìn)行一系列的薄膜沉積，如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保

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金屬互連中的大馬士革工藝

 在半導(dǎo)體制程中為了連接不同的電路元件，傳遞電子信號和為電路元件供電，需要使用導(dǎo)電金屬來形成互連結(jié)構(gòu)。鋁曾經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)中用于這些互聯(lián)結(jié)構(gòu)的主要材料。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和特征尺寸的不斷縮小，銅成為了替代選擇，那么這個過程是如何演變的呢？  金屬互連工藝歷史：早期的集成電路使用了金作為互連材料，到60-90年代中期，鋁逐漸成為集成電路制造中最主要的互連導(dǎo)線材料。1997年，美國 IBM 公司公布了先進(jìn)的銅互連技術(shù)，標(biāo)志著銅正式開始替代鋁成為高性能集成電路的主要互連材料。 

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藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液

  藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規(guī)格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍(lán)寶激光領(lǐng)域視窗對快速移動的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類型的激光武器系統(tǒng)、大功率微波和其他需要極其平坦和堅固的光學(xué)技術(shù)的應(yīng)用。  吉致電子藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液，具有良好的穩(wěn)定性，提高藍(lán)寶石視窗片拋光速率的同時保證藍(lán)寶石表面光滑、無缺陷的全局平坦化質(zhì)量。無錫吉致電子科

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半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學(xué)機械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實為化學(xué)與機械研磨（C&MP）的意思，化學(xué)作用與機械作用平等。目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細(xì)，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會影響光刻精確度，因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電

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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液

鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。 晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學(xué)性能息息相關(guān)，鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料，具有很高的應(yīng)用價值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩(wěn)定高（不溶與水），居里點高于600℃，不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象，介電損耗低，探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性，成為熱釋電紅外探測器的應(yīng)用材料。  經(jīng)過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機電耦合、溫度系數(shù)等綜合性

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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng)，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點。  碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因

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